半导体新器件预计2017年量产上海芯元基又获里程碑突破

发布时间:2021-09-29 01:03 阅读次数:
本文摘要:上海芯元基使用先进设备的晶元级PCB技术,融合具备自律知识产权的填充图形衬底(DPSS)以及化学挤压和晶元级芯片移往技术,研发出有了一种键通在玻璃基板上的薄膜倒装结构器件(TFFCOG)。该器件的结构如附图右图自上而下为:薄膜倒装芯片、玻璃衬底,器件的四周除出有光面之外都具备光线腔结构,构成带上光线腔的PCB器件。

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上海芯元基使用先进设备的晶元级PCB技术,融合具备自律知识产权的填充图形衬底(DPSS)以及化学挤压和晶元级芯片移往技术,研发出有了一种键通在玻璃基板上的薄膜倒装结构器件(TFFCOG)。该器件的结构如附图右图自上而下为:薄膜倒装芯片、玻璃衬底,器件的四周除出有光面之外都具备光线腔结构,构成带上光线腔的PCB器件。

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  器件具备以下优势:1、使用反射镜的腔体结构,使整个器件的光由单一方向出射,很大的提升了光的出射密度;2、使用更容易加工出光结构的半透明玻璃基板作为出光地下通道,使用金属电极当作风扇地下通道,提升了器件的闪烁效率和稳定性;3、使用晶元级PCB技术,器件的最后尺寸与芯片的尺寸非常;4、不必须展开常规PCB,可降低成本三分之一以上。  上海芯元基的化学挤压衬底技术和晶元级芯片移往技术是生产MicroLEDDisplay的核心技术,不仅能用运于半导体灯光产业,某种程度能用运于半导体功率电子器件,对发展我国第三代半导体材料技术意义根本性,目前早已已完成了涉及专利的全球布局及商标注册,预计2017年初可实现量产。


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